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ハイニックス、20ナノ64ギガNANDフラッシュ開発

新聞記事など

【ソウル9日聯合ニュース】ハイニックス半導体は9日、20ナノクラス技術を適用した64ギガバイトNAND型フラッシュメモリーの開発に成功したと発表した。
 20ナノNAND型フラッシュメモリー開発は、インテルとマイクロンの合弁会社IMフラッシュ・テクノロジーズに続き、世界2番目。ハイニックスは、インテルSTマイクロエレクトロニクス合弁会社ニューモニクスとの分業戦略を通じ、ナノプロセスの微細化時期短縮を進めている。
 研究所長の朴星ウク(パク・ソンウク)副社長は、今回開発した製品は、新プロセスの採用を最小化しながらも生産性が30ナノ級よりおよそ2倍高く、業界最高水準の原価競争力を確保したと説明した。ことし第3四半期から量産する。また、ことしNAND型フラッシュメモリー専用の忠清北道・清州工場に1兆ウォン(約768億円)を投じ、生産能力を2倍以上に高め、市場シェアを拡大していく計画だ。
 ハイニックスは、この製品を基盤として、64ギガバイトメモリー容量時代が早まるものと見込んでいる。特に、主に通信技術に適用されてきたノイズ除去技術をNAND型フラッシュメモリー半導体開発に適用し、工程をより微細化する研究を進める計画だ。朴副社長は、同技術を開発・適用すれば、工程微細化の限界を20ナノクラス以下まで拡張し、10ナノクラスNAND型フラッシュメモリーの生産も可能だと説明した。