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サムスンの半導体コア技術、ハイニックスに大量流出

新聞記事など

【ソウル3日聯合ニュースサムスン電子の半導体コア技術が6年間にわたり、協力業者を介してライバル会社のハイニックス半導体に大量に流出していたことが確認された。

ソウル東部地検は3日、サムスン電子の半導体製作技術や営業機密をハイニックスに渡した容疑(不正競争防止および営業機密保護に関する法律違反など)で、半導体整備業者の副社長(47)や同社の韓国法人チーム長(41)を拘束起訴し、同社社員7人を在宅のまま起訴した。

検察はまた、これら被告から営業機密を受け取ったハイニックス半導体の専務(51)を拘束起訴し、サムスン電子の課長(37)ら機密流出に関わった両社の社員8人を在宅のまま起訴した。サムスン電子で上級研究員として勤めながら技術を流出し、半導体整備業者に転職した男については指名手配した。

検察によると、技術流出を主導した半導体整備業者の副社長は、2005年3月から最近まで、DRAMNAND型フラッシュメモリーの製作工程などを記したサムスン電子の営業秘密95件を入手し、13件をハイニックスに渡した疑いがもたれている。

同整備業者社員らは、製作装備の設置と管理のため、サムスン電子の半導体生産工場に随時出入りしながら、機密文書を持ち出したり、交流のある社員から口頭で情報を得る方法で、機密を入手したと調査された。

同社が持ち出した営業機密には、半導体製作工程だけではなく、半導体生産ラインへの投資計画や次世代半導体開発計画、取引業者情報など、研究開発・営業関連の機密も含まれている。

また、サムスンが先ごろ世界に先駆け開発した30ナノ級DRAM工程の順序や装備なども、研究の真っ最中だった2008年12月から流出していたことがわかった。80ナノ級以下のDRAM、70ナノ級以下のNAND型フラッシュメモリー工程など、合法的に技術を移転する際にも政府の統制を受ける「国家コア技術」だけでも40件に達する。

今回の技術流出によるサムスン電子の直接的な被害額は数千億ウォンと推定されるが、後発業者との技術格差が縮まったことによる間接的な被害規模は数兆ウォンに達すると検察は伝えた。

一方、地検の捜査発表を受け、ハイニックス側は同日に声明を通じ、「サムスンの技術は工程の開発や量産過程でまったく活用されていない」と明らかにした。ハイニックスの社員が関わっていることは遺憾としながらも、今回の事件は一部社員による非公式の情報収集過程で発生したもので、裁判で真実が明らかになることを期待するとした。



サムスン電子が1月初めに30ナノNANDフラッシュを発表したと思ったら、今度はハイニックスが26ナノを発表。
その間に訴訟騒ぎも…
日本では今日の新聞へ東芝が8,000億円の設備投資の記事が。
心情的には「東芝がんばれ!!」